Новосибирск, 16 сентября, 2019, 14:32 — ИА Регнум. Метод выращивания полупроводниковых гетероструктур, которые используются в различных СВЧ-приборах, усовершенствовали исследователи Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Об этом 16 сентября сообщает издание «Наука в Сибири».

Отмечается, что в ходе исследований учёные смогли избавиться от ненужной проводимости в буферном слое нитрида галлия, который применяется при производстве транзисторов с высокой подвижностью. В результате инженеры уменьшили число транзисторов в каскадах СВЧ-устройств, увеличив их мощность.

Комплекс исследовательских работ проводился в новосибирском институте РАН в сотрудничестве с Новосибирским государственным университетом, Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе РАН и Московским институтом электронной техники.

Ранее в Новосибирске прошла Четырнадцатая российская конференция по физике полупроводников, участники которой рассмотрели фундаментальные проблемы научной отрасли, в том числе вопросы квантовых эффектов в полупроводниках.

Читайте также: В Новосибирске обсуждают развитие элементной базы электроники будущего