Российские учёные приблизились к интеграции кремниевой электроники
Владивосток, 30 октября, 2019, 11:26 — ИА Регнум. Наногетероструктуру толщиной всего 75 нанометров разработали учёные Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) и Дальневосточного отделения Российской академии наук (ДВО РАН). Об этом 30 октября сообщает пресс-служба вуза.
Предложенная учёными разработка состоит из нанокристаллической пленки магнетита, которую нанесли на подложку из кремния с дополнительным слоем оксида кремния. Её свойства, пояснили в университете, могут помочь в разработке высокопроизводительных гибридных устройств полупроводниковой электроники с новыми спинтронными элементами.
По словам доцента кафедры компьютерных систем школы естественных наук ДВФУ Александра Самардака, исследования в этой области позволят преодолеть ограничение, связанное с невозможностью дальнейшего уменьшения функциональных элементов электроники.
«Уверен, что интеграция кремниевой электроники и энергоэффективной спинтроники уже не за горами», — сказал он.
Читайте также: Сибирские учёные создали установку для плазменной модификации поверхностей