СМИ: Samsung начнёт производство первых 3-нм чипов в 2021 году

Техпроцесс на базе 3-нм будет использоваться при производстве полевых транзисторов с четырьмя затворами GAAFET

Сеул, 13 января 2019, 14:37 — REGNUM  Южнокорейская компания начнёт производство первых чипов на базе 3-нанометрового технологического процесса уже в 2021 году. Об этом сообщает Tom’s Hardware.

По данным издания, техпроцесс на базе 3-нм будет использоваться при производстве полевых транзисторов с четырьмя затворами GAAFET (Gate All Around FET). Ожидается, что переход на эту технологию значительно повысит производительность транзисторов.

Отметим, название применяемого технологического процесса в электронной промышленности определяется разрешающей способностью оборудования, используемого при производстве полупроводниковых интегральных микросхем.

Как ранее сообщало ИА REGNUM, 7 января на выставке CES 2019 в Лас-Вегасе американская компания Intel представила процессор Ice Lake, производимый на базе 10-нм техпроцесса. Ожидается, что первые настольные компьютеры и ноутбуки с этим процессорам поступят в продажу в конце года.

Если Вы заметите ошибку в тексте, выделите её и нажмите Ctrl + Enter, чтобы отослать информацию редактору.
×

Сброс пароля

E-mail *
Пароль *
Имя *
Фамилия
Регистрируясь, вы соглашаетесь с условиями
Положения о защите персональных данных
E-mail