Москва, 27 января, 2019, 13:58 — ИА Регнум. Российский производитель полупроводниковых изделий «Ангстрем-Т» освоил современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET. Об этом сообщает пресс-служба компании «Ангстрем-Т».

Транзисторы Trench MOSFET используются при производстве электронной техники, для работы которой необходимо преобразование электроэнергии. MOSFET-транзисторы отличаются от других силовых полупроводниковых устройств высокой скоростью переключения и эффективностью работы при низких напряжениях. Объём мировых продаж транзисторов MOSFET оценивается в $6 млрд в год, эксперты ожидают, что рынок продолжит расти в течение следующих 10 лет.

В пресс-службе отмечают, что завод «Ангстрем-Т» стал первым российским предприятием, выпускающим транзисторы этого типа.

Как ранее сообщало ИА REGNUM, в 2018 году объём годовых поставок полупроводниковых устройств впервые превысил отметку в 1 трлн, согласно данным аналитической компании IC Insights.