Москва, 14 августа, 2017, 10:31 — ИА Регнум. Российские ученые разработали способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами. Об этом 14 августа сообщает газета «Известия».

Ученые из Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» (НИТУ «МИСиС») провели успешный эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида бора и создали самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами.

«Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещенной зоны путем изменения концентрации кислорода», — приводит издание слова главного научного сотрудника Института биохимической физики РАН Леонида Чернозатонского.

По его словам, предложенный метод позволит быстро и просто получать материал с контролируемой запрещенной зоной — параметром, от которого зависит, относится материал к проводникам, полупроводникам или диэлектрикам.

Сообщается, что ученые сначала выстроили теоретическую модель нового материала, а затем в ходе эксперимента создали опытный образец, полностью соответствующий этой модели.

Ученые утверждают, что новый метод позволит конструировать миниатюрные изделия электроники. Его можно будет применять в таких областях науки и техники, как фотовольтаика, оптоэлектроника, хранение энергии.